1、主要特点：

•  数字化系统协同设计、MEMS工艺制造

•  微一体化、同步测量压力和温度

•  一体化封装结构鲁棒、可靠、性能稳定

•  多种压力与温度类型组合、量程范围宽

•  适于压力传感器智能化               

 2、主要性能技术指标

序号	项目	规格指标								备注
1	组合敏感类型	表压-温度	绝压-温度		表压-绝压-温度差			压-静压-温度
2	压力敏感芯片材质	SOI硅单晶
3	温度元件类型	扩散硅、薄膜铂电阻
4	基准压力量程	表压、		绝压		差压			静压	1*
		30kPa、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa、10MPa、30MPa		100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa 6MPa、10MPa、30MPa、		10kPa、30kPa、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa			1MPa、6MPa、 10MPa、30MPa	2*
5	压力过载能力	表压、绝压单向≥3倍（≤10MPa）、≥2倍（＞10MPa）					差压双向≥5倍基准量程			1*
6	被测介质	与金属、单晶硅兼容的非腐蚀性、绝缘气体和液体
7	激励电源	12±4VDC或 24±4VDC
8	输出阻抗	200Ω（典型值）								3*
9	压力输出信号模式	0.5～5VDC								2*、3*、4*
10	压力准确度	≤ ±0.25%FS （典型值）								3*、4*
11	工作温度	-55～+125℃；-55～+180℃；-55～+240℃；-55～+300℃；								5*、6*、2*
12	热零点漂移	≤± 1%FS/55℃								7*
13	热灵敏度漂移	≤±1%F.S /55℃								7*
14	热电阻标称阻值	扩散硅30～60kΩ；铂薄膜Pt100，Pt200，Pt500、Pt1000；								2*
15	热电阻温度系数	扩散硅≥30Ω/℃；铂薄膜3850ppm/℃；								2*
16	绝缘电阻	>100MW								3*、8*
17	短期稳定性	±0.05%FS/8h								3*
18	长期稳定性	≤±0.1%FS/年								3*
19	电气连接形式	多芯线缆
20	测量接口形式	外螺纹、法兰

注：1^*. 无注明，差压为单压力敏感器件；                        2^*. 可用户定制；

      3^*. 恒温25℃；                                               4^*. 非线性算法为最小二乘法；

             5^*.;接插件和放大器工作温度-55℃～+125℃；           6^*.-55℃为最低温度，+400℃为最高温度；

             7^*. -55～25℃或25～80℃；                                      8^*. 100VDC；      

 注：可提供定制服务，如有需求请与营销人员联系。