产品简介

    用于硅晶圆湿法腐蚀后剩余膜厚的实时测量 

产品特点

• 全光学非接触式测量 ，无须破坏样品或做前处理

• 高速 、高灵敏度 、高精确度 、高重复性测量

• 采用近红外光(NIR),每个波的测量功率更高

•  双光路设计， 以增加探测光路强度

• 包含显微成像系统 ，方便准确定位测量部位

• 可以测量玻璃盖板下面硅基的厚度

• 高动态范围 ，对表面缺陷和粗糙度不敏感 ，可测量不规则表面·  能够在湿法蚀刻过程中进行原位测量

技术参数 

• 测量薄膜厚度范围：1 5 um-2mm （SiO2 on Si；7 um-1mm（Si）

• 波长范围：1 280-1340nm

• 光纤通光波长范围：1 90-1700nm

• 准确度：0 .4%或50nm（取较大者）

• 精度：5 nm

•  稳定性：5 nm

• 光斑大小：1 0 um

• 光源及寿命： LED灯 ，使用寿命长 ，不属于耗材

• 厚度标准片： 配置厚度约250um的硅厚度标准片

• 离线分析软件 ：可授权离线分析软件模拟实际测量 ，不需要连接主机

• 厚度拟合算法 ：至少拥有Exact， Robust和FFT三种厚度拟合算法

• 材料库 ：拥有不小于100种不同材料的数据库 ，可自由导入新材料文件

• 原始信号 ：可实时显示光强原始信息 ，用于信号聚焦

• 反射率模拟 ：可进行不同镀膜材料的建模 ，模拟镀膜膜系的反射率曲线

• 电脑抛档 ：可以实现测量文件抛档 ，与自命名

• 文件导出格式： CSV,fibhi, mls

设备支持定制，详细资料请联系营销人员获取。