应用场景：

      用于硅半导体MEMS工艺压力传感器硅杯的腐蚀与清洗工艺。

主要特点：

• 设备由腐蚀和清洗两部分组成，包括耐腐蚀主体结构设备柜体、腐蚀槽、清洗喷淋溢流槽（QDR槽）、PID恒温系统、PLC工控系统、专用晶圆腐蚀夹具（按需选配）、供水供气管路、废液排放管路等部分。

• 采用腐蚀液槽内循环设计

• 配套专用夹具及腐蚀工艺

• 腐蚀液：TMAH或KOH等

• 温控精度：±0.5°℃

• 工艺温度：RT~90℃

• 腐蚀速率：50um/h

• 腐蚀均匀度：≤1um

• 膜片无损成型，制得的传感器膜片质量更优

• 多槽设备配置HF槽、腐蚀槽、QDR清洗槽、IPA清洗槽、N2烘干槽等，可根据实际生产需求选配

• 单槽腐蚀设备适合学校、研究所等小规模生产和实验。

• 所有腐蚀槽控制程序可独立设定运行，配置不同晶向、不同腐蚀液的工艺条件，更精准可靠，省时省力。

• 设备具有工作完成提示以及过程中的故障远程报警功能。

• 硅片尺寸可定制：4吋、5吋、6吋、8吋、10吋、12吋

注：可根据用户使用条件定制需要的规格，有关技术指标请索取产品详细说明。