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BP100系列硅压阻压力敏感芯片
    发布时间: 2023-09-27 15:09    

数字化系统协同设计、MEMS工艺制造
健壮反向PN结电隔离

BP100系列硅压阻压力敏感芯片


 1、主要特点


  •  数字化系统协同设计、MEMS工艺制造

  •  健壮反向PN结电隔离

  •  恒流激励满量程热漂移自补偿

  •  优良表面态和时漂特性

  •  多开/闭合惠斯登电桥连接形式

  •  应力匹配玻璃隔离衬片

  •  适于表压、绝压、差压测量用途

  •  覆盖低、中、高宽压力量程范围


2、主要性能技术指标


序号

项目

规格指标

备注

1

基准压力量程

表压、差压

绝压


0~1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10MPa

100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100MPa


2

过载能力

≥3倍基准量程(≤10MPa);≥1. 5倍基准量程(>10MPa);≥1. 25倍基准量程(≥60MPa)

1*

3

桥路电阻

3~5kΩ


4

零点输出

≤ ±25mV

2*

5

满量程输出

≥30mV(20kPa、35kPa);≥40 mV(20kPa、30kPa);≥50 mV(其它基准量程)

2*

6

准确度

≤ ±0.15%FS (其它基准量程)

 ≤ ±0.25%FS (≤60kPa、≥60MPa、100MPa)

 ± 0.5%FS(≤10kPa)

3*

7

工作温度

-55~+125℃;


8

零点热漂移

≤ 6%FS/55℃(≤10kPa)

≤±4%F.S /55℃(其它基准量程)

4*、5*

9

满量程热漂移

≤±10%FS/55℃(≤10kPa)

≤±8%F.S /55℃(其它基准量程)

4*、5*

10

PN结硬击穿电压

≥20V(I=10μA档)


11

短期稳定性

±0.05%FS/8h


12

供电电源

恒流0.5~1.5mA,或恒压5V~10V


13

电桥形式

半开桥、半闭桥、闭桥






14

表面尺度

≤3.5×2.75(mm)

≤2.3×2(mm)

≤1.55×1.55(mm)

6*

注:

1*. 100MPa量程过载为本量程上限;

2*. 5VDC恒压激励,恒温25℃;

3*.非线性数据计算为最小二乘法;

4*. 1mA恒流激励,恒温25℃;

5*. 55℃温区为-30~25℃或25~80℃; 6*.硅片厚度c=500μm;


注:可提供定制服务,如有需求请与营销人员联系。