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BP110系列硅压阻式普通型敏感芯片
    发布时间: 2023-09-27 15:09    

·数字化系统协同设计、MEMS工艺制造

·健壮反向PN结电隔离

·恒流激励满量程热漂移自补偿

·优良表面态和时漂特性

·半/闭合惠斯通电桥连接形式

·玻璃隔离衬片应力匹配

·表压、绝压、差压类型全覆盖

·低、中、高压力量程覆盖宽泛


BP110系列硅压阻式普通型敏感芯片


 1、主要特点

  • 数字化系统协同设计、MEMS工艺制造

  • 健壮反向PN结电隔离

  • 恒流激励满量程热漂移自补偿

  • 优良表面态和时漂特性

  • 半开/闭合惠斯通电桥连接形式

  • 玻璃隔离衬片应力匹配

  • 表压、绝压、差压类型全覆盖

  • 低、中、高压力量程覆盖宽泛


2、主要性能技术指标

一般试验环境条件(25℃),5VDC激励,典型数据表

序号

项目

规格指标

备注

1

测量范围

表压0~400kPa……20MPa

差压0~400kPa……4MPa

绝压0~400kPa……100MPa

表压0~40kPa……600kPa

差压0~40kPa……600kPa

绝压0~100kPa……600kPa

支持定制

2

工作温度

-55℃~+125℃


3

激励电源

额定5VDC/1mADC或最高10VDC/1.5mADC


4

桥路电阻

3kΩ~5kΩ


5

PN结击穿电压

≥20V(I=10μA档)


6

零点失调电压

±25mV


7

满量程输出(FSO)

≥80mV(≥60mV:量程≤40kPa)


8

准确度

(非线性、迟滞、重复性)

±0.1%FS

(±0.3%FS:量程≤40kPa或≥40MPa)

最小二乘法

9

过载压力

1.5倍~3倍额定量程

按企标

10

热零点输出漂移

±0.05%FS/℃(±0.1%FS/℃:量程≤40kPa)


11

热满量程输出漂移

-0.2%FS/℃~-0.12%FS/℃

电压激励

12

长期稳定性

±0.15%FS/年


13

芯片尺寸

2.0×2.0×1.25(mm)

2.8×2.8×1.25(mm)

长×宽×高




注:可提供定制服务,如有需求请与营销人员联系。