1、主要特点

• 数字化系统协同设计，MEMS制造

• SOI埋层SiO2电隔离，消除PN结反向饱和漏电流

• 高宽全温区信噪比高、重复性/热特性长期稳定

• 恒流激励满量程热漂移自补偿

• 机械/热迟滞特性优越式

• 半闭/闭合惠斯通电桥连接形

• 表压、绝压、差压类型全覆盖

• 低、中、高宽压力量程覆盖宽泛

2、主要技术指标

一般试验环境条件（25℃），5VDC激励，典型数据表

序号	项目	规格指标		备注
1	测量范围	表压0～600kPa……20MPa 差压0～600kPa……2MPa 绝压0～600kPa……100MPa	表压0～40kPa……600kPa 差压0～40kPa……600kPa 绝压0～100kPa……600kPa	支持定制
2	工作温度	-55℃～+200℃
3	激励电源	额定5VDC/1mADC或最高10VDC/1.5mADC
4	桥路电阻	3kΩ～5kΩ
5	零点失调电压	±25mV
6	满量程输出(FSO)	≥80mV（≥60mV：量程≤40kPa）
7	准确度 （非线性、迟滞、重复性）	±0.1%FS （±0.3%FS：量程≤40kPa或≥40MPa）		最小二乘法
8	过载压力	1.5倍～3倍额定量程		按企标
9	热零点输出漂移	±0.01%FS/℃
10	热满量程输出漂移	-0.2%FS/℃～-0.12%FS/℃		电压激励
11	长期稳定性	±0.1%FS/年
12	芯片尺寸	2.0×2.0×1.25（mm）	2.8×2.8×1.25（mm）	长×宽×高

注：可提供定制服务，如有需求请与营销人员联系。